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產(chǎn)品中心少子壽命測(cè)試儀（MDP）MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)
MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀，系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測(cè)量，范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體，可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。
更新時(shí)間：2026-03-16
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MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)，優(yōu)點(diǎn)是非接觸式，是一種對(duì)待測(cè)樣品無損傷和非破壞式的檢測(cè)手段，采用微波諧振微波腔來接收信號(hào)。由缺陷捕獲載流子的再發(fā)射引起的光電導(dǎo)率的變化可以通過微波吸收來檢測(cè)。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導(dǎo)體。
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