MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀       

用于生產和研究實驗室應用的MDpicts pro（高分辨率變溫少子壽命測試儀系統）。全自動設備，以非接觸、無破壞方式繪制材料的電輸運特性。一般來說，MDpicts pro系統能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量，范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導體，可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。重點是缺陷再發射、少數載流子壽命以及光電導率的溫度相關測量。研究污染物和電活性晶體缺陷。

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀材料： 

MDpicts pro 能夠對幾乎所有半導體進行電學表征 

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重點優勢： 

1）從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試

2）實現材料缺陷的根本原因分析：無損、靈活且精確

3）空間分辨率高

4）同時具備瞬態μPCD和穩態MDP測量

5）可定制激光與光學集成方案，適配各類材料需求

6）原位新型低溫恒溫測試系統，

7）支持4英寸樣品測試 

技術規格：  

應用案例： 

光束誘導電流（LBIC） 

該過程基于對太陽能電池中局部電流（Isc）的測量，該電流通過激光誘導的方式產生 

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS） 

為研究半導體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級瞬態譜（DLTS））已被廣泛應用。 

磷化銦（InP）中缺陷能級的研究 

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS）是研究磷化銦（InP）中缺陷能級的理想方法。例如，對磷化銦的研究表明，退火過程中材料的缺陷含量會發生變化……