MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統

用于科研及生產應用的MDpicts pro（原位變溫缺陷能級表征系統）。使用非接觸式光電導率衰減法、深能級瞬態譜(DLTS)技術，尤其針對溫度依賴的載流子壽命測量系統（面掃和單點）。MDPicts pro測試系統的優點是非接觸式，是一種對待測樣品無損傷和非破壞式的檢測手段，采用微波諧振微波腔來接收信號。由缺陷捕獲載流子的再發射引起的光電導率的變化可以通過微波吸收來檢測。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導體。

MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統材料： 

MDpicts pro 能夠對幾乎所有半導體進行電學表征 

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重點優勢： 

1）從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試

2）實現材料缺陷的根本原因分析：無損、靈活且精確

3）空間分辨率高

4）同時具備瞬態μPCD和穩態MDP測量

5）原位新型低溫恒溫測試系統，

6）半導體材料中的缺陷分布

7）半導體材料光電導率測試

8）深能級缺陷的激發活能

9）深能級缺陷的俘獲截面

10）深能級缺陷測試 

技術規格：  

應用案例：

光束誘導電流（LBIC） 

該過程基于對太陽能電池中局部電流（Isc）的測量，該電流通過激光誘導的方式產生 

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS） 

為研究半導體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級瞬態譜（DLTS））已被廣泛應用。 

磷化銦（InP）中缺陷能級的研究 

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS）是研究磷化銦（InP）中缺陷能級的理想方法。例如，對磷化銦的研究表明，退火過程中材料的缺陷含量會發生變化……