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MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀，系統能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量，范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導體，可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。

MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統，優點是非接觸式，是一種對待測樣品無損傷和非破壞式的檢測手段，采用微波諧振微波腔來接收信號。由缺陷捕獲載流子的再發射引起的光電導率的變化可以通過微波吸收來檢測。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導體。

MD picts溫度依賴型壽命測試系統，可檢測電阻率高于 0.3 Ω cm的單晶硅與多晶硅，重要聚焦缺陷、少子壽命及光電導的溫度依賴型測量，同時可檢測硅中的污染物及電活性晶體中的缺陷，具備微波光電導衰減瞬態（μPCD）和穩態（MDP）測量功能。

HT picts高溫少子壽命測量系統，用于寬禁帶材料在高溫區間的非接觸、無損傷的溫度依賴型測量，涵蓋少子壽命、電學特性表征及深能級缺陷研究。（涵蓋瞬態模式μPCD、穩態模式MDP、微波光電導等方法，符合SEMI PV9-1110 半導體標準）。

少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產和質量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀被設計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產控制或研發，在穩態或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。